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| PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响 | |
| 引用本文： | 王应民,孙云,杜楠,蔡莉,李禾,程国安.PECVD法制备的ZnO薄膜结晶性能的影响[J].微细加工技术,2007,2(2):28-33. |
| 作者姓名： | 王应民 孙云 杜楠 蔡莉 李禾 程国安 |
| 作者单位： | 1. 南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南昌航空工业学院,材料科学与工程学院,南昌,330034;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 2. 南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071 3. 南昌航空工业学院,材料科学与工程学院,南昌,330034 4. 北京师范大学,材料系,北京,100871 |
| 基金项目： | 江西省材料科学与工程中心资助项目;南昌航空工业学院博士基金;江西省教育厅科研项目 |
| 摘 要： | 报道了在等离子体作用下,以CO2/H2为氧源,Zn(C2H5)2为锌源,N2为载气,在Si(111)衬底上采用自行设计等离子体化学气相沉积(PECVD)装置来生长的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和场发射扫描电镜分别对不同衬底温度生长的薄膜样品进行了组成、表面和横截面的形貌表征,并且测试了薄膜的PL谱。研究结果表明,衬底温度直接影响薄膜的结晶质量。随衬底温度的升高,ZnO薄膜的结晶取向性开始增强,晶粒尺寸增大。在衬底温度约为450℃时,生长的ZnO薄膜有很强的择优取向性。 |
| 关 键 词： | ZnO薄膜 等离子体增强化学气相沉积 X射线衍射仪 原子力显微镜 |
| 文章编号： | 1003-8213(2007)02-0028-06 |
| 修稿时间： | 2006年9月25日 |
Crystallization Properties of ZnO Thin Films Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition |
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| Wang Ying-min,Sun Yun,Du Nan,Cai Li,Li He,Cheng Guo-an.Crystallization Properties of ZnO Thin Films Synthesized by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition[J].Microfabrication Technology,2007,2(2):28-33. | |
| Authors: | Wang Ying-min Sun Yun Du Nan Cai Li Li He Cheng Guo-an |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si(111) |
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