| 碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响 |
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| 引用本文： | 王月霞,刘玉岭,王辰伟,闫辰奇.碱性铜粗抛液中氧化剂对化学机械平坦化的影响[J].半导体技术,2015,40(10):770-774. |
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| 作者姓名： | 王月霞 刘玉岭 王辰伟 闫辰奇 |
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| 作者单位： | 河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130;河北工业大学微电子研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家科技重大专项资助项目，河北省自然科学基金资助项目，河北省教育厅项目，河北省青年自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 针对不合腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟评估氧化剂对晶圆表面平坦化的影响.在12英寸铜镀膜片和TM1图形片上分别研究氧化剂体积分数对表面平坦化的影响.实验结果表明:动态抛光速率和静态腐蚀速率均随着氧化剂体积分数的增加先逐渐增大,达到最大值,然后下降,趋于平缓.片内非均匀性和剩余高低差均随H2O2体积分数的增加,先呈下降趋势,后缓慢上升.当氧化剂体积分数为3％时,动态去除速率(vRR)为398.988 nm/min,静态腐蚀速率vER为6.834 nm/min,vRR/vER比值最大,片内非均匀性最小为3.82％,台阶高低差最小为104.6 nm/min,此时晶圆片有较好的平坦化效果.
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| 关 键 词： | 化学机械平坦化(CMP) 碱性抛光液 铜粗抛(P1) 片内非均匀性(WIWNU) 剩余高低差 |
Effect of the Oxidant in Alkaline Copper Fast Polishing Slurry on the Chemical Mechanical Planarization |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chemical mechanical planarization (CMP) alkaline slurry copper fast polishing(P1) within-wafer-nonuniformity (WIWNU) step height |
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