| 基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计 |
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| 引用本文： | 卜山,周玉梅,赵建中,刘海南.基于SOI CMOS工艺的LVDS驱动器设计[J].半导体技术,2014,39(5):326-329,334. |
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| 作者姓名： | 卜山 周玉梅 赵建中 刘海南 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院微电子研究所,北京100029;中国科学院微电子研究所,北京100029 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2011AA010403) |
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| 摘 要： | 基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片。全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、共模反馈模块、使能模块和偏置模块。提出了一种具有低输入电容输出驱动模块电路结构,经仿真验证可有效降低LVDS预驱动模块30%的功耗,同时降低29%的信号延时。芯片利用共模反馈机制控制输出信号的共模电平范围,通过环路补偿保证共模反馈电路的环路稳定性。芯片使用3.3 V供电电压,经Spice仿真并流片测试,输出信号共模电平1.23 V,差分输出电压347 mV,在400 Mbit/s数据传输速率下单路动态功耗为22 mW。
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| 关 键 词： | 低压差分信号传输(LVDS) 绝缘体硅(SOI) 共模反馈 低输入负载 环路补偿 |
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