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一种使用超声波精细雾化施液的SiO2抛光液
引用本文:翟靖,李庆忠.一种使用超声波精细雾化施液的SiO2抛光液[J].半导体技术,2012,37(4):263-266,311.
作者姓名:翟靖  李庆忠
作者单位:江南大学机械工程学院,江苏无锡,214122;江南大学机械工程学院,江苏无锡,214122
基金项目:国家自然科学基金资助项目(51175228);江苏省自然科学基金资助项目(BK20080605)
摘    要:使用硅溶胶、pH值调节剂、表面活性剂和氧化剂等组分配制抛光液,通过超声波发生器雾化后,在负压下导入抛光区域界面进行CMP实验,并在相同的抛光参数下,与SSP-L抛光液常规抛光进行了比较。结果表明:当磨粒质量分数为20%、pH值为11、表面活性剂和氧化剂的质量分数分别为0.5%和2%时,材料去除率MRR达到490 nm/min,表面粗糙度Ra为2.72 nm。配制的抛光液的雾化抛光效果和SSP-L抛光液常规抛光效果接近,而雾化抛光液用量接近常规抛光液的1/10。分析原因是雾化液均匀的化学组分以及在界面化学反应中的高活性、强吸附性,有利于材料去除和形成超精细的表面。

关 键 词:化学机械抛光  精细雾化  超声波  抛光液  硅片

SiO2 Slurry Delivered by Ultrasonic Fine Atomized Form
Zhai Jing , Li Qingzhong.SiO2 Slurry Delivered by Ultrasonic Fine Atomized Form[J].Semiconductor Technology,2012,37(4):263-266,311.
Authors:Zhai Jing  Li Qingzhong
Affiliation:(College of Mechanical Engineering,Jiangnan University,Wuxi 214122,China)
Abstract:
Keywords:
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