| 铂扩散快恢复二极管特性的研究 |
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| 引用本文： | 孙树梅,曾祥斌,袁德成,蒋陆金,肖敏,冯亚宁.铂扩散快恢复二极管特性的研究[J].半导体技术,2006,31(12):930-934. |
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| 作者姓名： | 孙树梅 曾祥斌 袁德成 蒋陆金 肖敏 冯亚宁 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学,电子科学与技术系,武汉,430074
2. 上海美高森美半导体有限公司,上海,210018 |
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| 基金项目： | 感谢上海美高森美半导体有限公司提供的实验条件及工艺指导. |
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| 摘 要： | 描述了用直拉单晶(CZ)硅片采取铂液态源扩散的方法控制少子寿命,以达到减小快恢复二极管的反向恢复时间的目的.通过一系列的实验对铂扩散二极管的特性进行研究,分析了铂扩散二极管的反向恢复时间TRR、正向压降VF以及漏电流IR等参数之间的关系,并分析了反向恢复时间TRR的温度特性.得到TRR与VF之间的理想折衷:TRR为80～500 ns,VF控制在0.9～1.3 V.不但使TRR与VF的折衷有了较大的改善,而且在材料上采用了成本较低的直拉单晶硅片代替成本较高的外延片.分析了铂扩散温度和时间对反向恢复时间TRR和正向压降VF的影响,理论上解释了各主要参数之间相互影响的原因.
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| 关 键 词： | 铂扩散 反向恢复时间 正向压降 漏电流 扩散温度 快恢复二极管 温度特性 研究 Diffusion Platinum Properties 解释 理论 影响 外延片 单晶硅片 直拉 成本 材料 改善 关系 参数 漏电流 正向压降 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)12-0930-05 |
| 收稿时间： | 2006-05-11 |
| 修稿时间： | 2006年5月11日 |
Study on the Properties of FRD by Spin-on Platinum Diffusion |
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| SUN Shu-mei,ZENG Xiang-bin,YUAN De-cheng,JIANG Lu-jin,XIAO min,FENG Ya-ning.Study on the Properties of FRD by Spin-on Platinum Diffusion[J].Semiconductor Technology,2006,31(12):930-934. |
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| Authors: | SUN Shu-mei ZENG Xiang-bin YUAN De-cheng JIANG Lu-jin XIAO min FENG Ya-ning |
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| Affiliation: | 1. Department of Electronic Science and Techonolgy, Huazhong University of Science and Techonolgy, Wuhan 430074, China; 2. Microsemi Semiconductor, Shanghai 210018, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | platinum diffusion reverse recovery time forward voltage drop leakage current |
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