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| 掺硼多晶硅的制备及其电阻率 | |
| 引用本文： | 彭昭廉,喻建英.掺硼多晶硅的制备及其电阻率[J].半导体技术,1992(2):61-63. |
| 作者姓名： | 彭昭廉 喻建英 |
| 作者单位： | 华中理工大学固电系 武汉 (彭昭廉，黄秋芝)，华中理工大学固电系 武汉(喻建英) |
| 摘 要： | 本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。 |
| 关 键 词： | 硅膜 掺硼 多晶硅膜 制造 电阻率 |
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