| SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究 |
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| 引用本文： | 沈海波,郭亨群,徐骏,陈坤基,王启明.SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究[J].半导体技术,2010,35(9):877-880,938. |
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| 作者姓名： | 沈海波 郭亨群 徐骏 陈坤基 王启明 |
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| 作者单位： | 华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;华侨大学,信息科学与工程学院,福建,泉州,362021;中国科学院,半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083;南京大学物理学系,南京,210093;中国科学院,半导体研究所,集成光电子国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展"973"计划项目，集成光电子国家重点联合实验室开放项目 |
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| 摘 要： | 采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光.研究了退火温度和时间对SiOx:Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件.采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV.对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx:Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨.
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| 关 键 词： | 射频磁控反应溅射 SiOx:Er薄膜 光致发光 |
Study on Photoluminescence Characteristics of SiOx: Er Thin Films |
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| Shen Haibo,Guo Hengqun,Xu Jun,Chen Kunji,Wang Qiming.Study on Photoluminescence Characteristics of SiOx: Er Thin Films[J].Semiconductor Technology,2010,35(9):877-880,938. |
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| Authors: | Shen Haibo Guo Hengqun Xu Jun Chen Kunji Wang Qiming |
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