| 电化学法制备CdSexTey薄膜及其光电性能 |
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| 引用本文： | 王伟,黎燕,莫德清,钟福新,王苏宁,朱义年.电化学法制备CdSexTey薄膜及其光电性能[J].半导体技术,2015(5):382-388. |
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| 作者姓名： | 王伟 黎燕 莫德清 钟福新 王苏宁 朱义年 |
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| 作者单位： | 1. 桂林理工大学化学与生物学院,广西桂林,541004;2. 桂林电子科技大学生命与环境科学学院,广西桂林,541004;3. 桂林理工大学环境科学与工程学院,广西桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目，广西科学研究与技术开发计划课题资助项目 |
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| 摘 要： | 以Cd(NO3)2·4H2O,Na2 SeO3和Na2TeO3的混合液为电解液,采用电化学共沉积法在氧化铟锡(ITO)玻璃基底上制备了CdSexTey薄膜样品.探讨了沉积电压、水浴温度、沉积时间以及Cd,Te和Se物质的量比等制备条件对样品在模拟太阳光下的开路电压的影响.结果表明,在沉积电压为3.0V,水浴温度为50℃,沉积时间为30 min,n(Cd)∶n(Te)∶n(Se)=5.6∶1∶1时制备的CdSexTey薄膜具有较高的开路电压,其值可达到0.464 1 V.X射线衍射(XRD)分析结果显示,CdSexTey样品中含单质态Se,CdSexTey的3个主要衍射峰对应的晶粒尺寸分别为43.07,44.56和44.03 nm.能谱分析(EDS)结果显示,样品中Cd,Te,Se元素的质量分数分别是6.53％,6.25％和14.52％,原子数分数分别为1.68％,1.42％和5.32％.对Cd元素原子数分数进行归一化处理,则样品CdSexTey中x为3.17(其中有化合态Se2-为0.15,单质态Se为3.02),y为0.85.
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| 关 键 词： | 电化学共沉积 CdSexTey 薄膜 开路电压 光电性能 |
Electrochemical Preparation and Photoelectric Properties of CdSexTey Thin Film |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | electrochemical deposition CdSexTey thin film open circuit voltage photoelectric property |
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