| 低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源 |
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| 引用本文： | 朱从义,张耀辉,石寅.低温漂高电源抑制的CMOS片上电流源[J].半导体技术,2009,34(6). |
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| 作者姓名： | 朱从义 张耀辉 石寅 |
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| 作者单位： | 中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,江苏,215123;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院,研究生院,北京,100049;中国科学院,苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州,江苏,215123;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
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| 摘 要： | 设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流.该电路在0.35,μm、3.3 V的工艺下实现,芯片面积为0.03 mm2.仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10-6/℃,在2.6～4 V的电源电压下均能正常工作,达到了系统要求.
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| 关 键 词： | 带隙基准 温度系数 电源抑制 电流源 驱动电路 |
Low-Temperature-Drift High PSRR CMOS Current Reference |
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| Zhu Congyi,Zhang Yaohui,Shi Yin.Low-Temperature-Drift High PSRR CMOS Current Reference[J].Semiconductor Technology,2009,34(6). |
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| Authors: | Zhu Congyi Zhang Yaohui Shi Yin |
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| Affiliation: | 1.Suzhou Nano-Tech and Nano-Bionics Institute;CAS;Suzhou 215123;China;2.Institute of Semiconductor;Beijing 100083;3.Graduate University;Beijing 100049;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bandgap reference temperature coefficients PSR current reference driving circuit |
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