| 双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究 |
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| 引用本文： | 齐锐,代月花,陈军宁,李俊生.双掺杂多晶Si栅MOSFET的截止频率研究[J].半导体技术,2010,35(6):534-537. |
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| 作者姓名： | 齐锐 代月花 陈军宁 李俊生 |
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| 作者单位： | 安徽大学,电子科学与技术学院,合肥230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥230039;安徽大学,电子科学与技术学院,合肥230039 |
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| 基金项目： | 国家自然科学资金资助项目，安徽省自然科学资金资助项目 |
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| 摘 要： | 在前期对双掺杂多晶Si栅(DDPG)LDMOSFET的电场、阈值电压、电容等特性所作分析的基础上,仍然采用双掺杂多晶Si栅结构,以低掺杂漏/源MOS(LDDMOS)为基础,重点研究了DDPG-LDDMOSFET的截止频率特性.通过MEDICI软件,模拟了栅长、栅氧化层厚度、源漏区结深、衬底掺杂浓度以及温度等关键参数对器件截止频率的影响,并与相同条件下P型单掺杂多晶Si栅(p-SDPG)MOSFET的频率特性进行了比较.仿真结果发现,在栅长90 nm、栅氧厚度2 nm,栅极P,n掺杂浓度均为5×1019cm-3条件下,截止频率由78.74 GHz提高到106.92 GHz,幅度高达35.8%.此结构很好地改善了MOSFET的频率性能,得出的结论对于结构的设计制作和性能优化具有一定的指导作用,在射频领域有很好的应用前景.
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| 关 键 词： | 双掺杂多晶Si栅 低掺杂漏/源MOS 栅极掺杂浓度 截止频率 MEDICI软件 |
Analysis on the Cut-Off Frequency of Double Doping Polysilicon Gate MOSFET |
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| Qi Rui,Dai Yuehua,Chen Junning,Li Junsheng.Analysis on the Cut-Off Frequency of Double Doping Polysilicon Gate MOSFET[J].Semiconductor Technology,2010,35(6):534-537. |
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| Authors: | Qi Rui Dai Yuehua Chen Junning Li Junsheng |
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| Affiliation: | Qi Rui,Dai Yuehua,Chen Junning,Li Junsheng(School of Electronic Science and Technology,Anhui University,Hefei 230039,China) |
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| Abstract: | The early research on electric field,threshold voltage,capacitance and other characteristics of the double doping polysilicon gate(DDPG)MOSFET is analyzed.The cut-off frequency of the device which still chooses the structure of double doping polysilicon gate and based on lightly doped drain/source MOS.By simulating,the effects of the key parameters on the cut-off frequency are studied,which include the gate length,gate oxide thickness,the junction depth of source and drain regions,substrate doping density a... |
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| Keywords: | DDPG LDDMOS gate doping density cut-off frequency MEDICI softwone |
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