| 功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现 |
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| 引用本文： | 闫军政,杨士元,吴维刚,张金龙.功率控制器结温无损伤测量技术研究与实现[J].半导体技术,2013(1):74-78. |
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| 作者姓名： | 闫军政 杨士元 吴维刚 张金龙 |
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| 作者单位： | 清华大学自动化系;北京市科通电子继电器总厂 |
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| 摘 要： | 固态功率控制器或固体继电器逐步向大功率方向发展,其结温测量与监控成为工程应用中的难题,针对这类具有输入输出隔离功能的器件,采用等功率结温测试法研究了基于MOSFET的功率控制器结温无损伤测量技术。利用MOSFET自身结构,通过研究寄生pn结电压随温度变化规律、器件正向功率和反向功率关系、等功率结温测试与实际结温测试结果对比,提出了适用于工程应用的结温无损伤测量方法。结果表明,采用本方法测试结温准确度在1%以内,并可有效避免器件时间差、测试时间差等问题,可实现多层结构、非气密结构等传统方法难以实现的结温测量,具有良好的工程应用价值。
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| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应晶体管 结温 无损伤 测量 等功率 |
Research and Implementation of Non-Destructive Measurement of the Junction Temperature in the Power Controller |
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| Yan Junzheng,Yang Shiyuan,Wu Weigang,Zhang Jinlong.Research and Implementation of Non-Destructive Measurement of the Junction Temperature in the Power Controller[J].Semiconductor Technology,2013(1):74-78. |
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| Authors: | Yan Junzheng Yang Shiyuan Wu Weigang Zhang Jinlong |
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| Affiliation: | 1.Department of Automation,Tsinghua University,Beijing 100084,China; 2.Beijing Keytone Electronic Relays Factory,Beijing 100041,China) |
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| Abstract: | |
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