| 微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用 |
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| 引用本文： | 孙建,俞远高,王锐,侯国付,薛俊明,赵颖,耿新华,李乙钢.微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用[J].半导体技术,2006,31(9):697-701. |
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| 作者姓名： | 孙建 俞远高 王锐 侯国付 薛俊明 赵颖 耿新华 李乙钢 |
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| 作者单位： | 南开大学,光电子所,天津,300071;河北工业大学,天津,300130;河北工业大学,天津,300130;南开大学,光电子所,天津,300071;南开大学,学物理学院,天津,300071 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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南开大学校科研和教改项目
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教育部重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32 nm/s,晶化率达58.2%.把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时,电池的转换效率达到4.8%.
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| 关 键 词： | 高速生长 微晶硅电池 高压耗尽 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)09-0697-05 |
| 收稿时间： | 2006-04-28 |
| 修稿时间： | 2006年4月28日 |
High Rate-Deposition of Microcrystalline Silicon Films and Solar Cell |
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| SUN Jian,YU Yuan-gao,WANG Rui,HOU Guo-fu,XUE Jun-ming,ZHAO Ying,GENG Xin-hua,LI Yi-gang.High Rate-Deposition of Microcrystalline Silicon Films and Solar Cell[J].Semiconductor Technology,2006,31(9):697-701. |
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| Authors: | SUN Jian YU Yuan-gao WANG Rui HOU Guo-fu XUE Jun-ming ZHAO Ying GENG Xin-hua LI Yi-gang |
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| Affiliation: | 1 .lnstitute of Photoelectronics, 2. Institute of Physics, Nankai University, Tianjin 300071, China; 3.Heibei University of Technology. Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | High-pressure depletion RF-PECVD is widely used to fabricate microcrystalline silicon films and solar cells. By this method the deposition rate was improved to 0.32nm/s for intrinsic microcrystalline silicon films and the crystalline fraction volume was 58.2%. Using this intrinsic microcrystalline silicon film as absorber layer in single-junction solar cell, a conversion efficiency of 4.8% was obtained. |
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| Keywords: | high-rate deposition microcrystalline silicon solar cell high-pressure depletion |
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