| 大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟 |
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| 引用本文： | 朱宇霞,陈琳,顾世浦,修向前,张荣,郑有炓.大尺寸HVPE反应室生长GaN的数值模拟[J].半导体技术,2018,43(8):616-621. |
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| 作者姓名： | 朱宇霞 陈琳 顾世浦 修向前 张荣 郑有炓 |
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| 作者单位： | 南京大学电子科学与工程学院,南京,210023;南京大学电子科学与工程学院,南京 210023;南京邮电大学电子科学与工程学院,南京 210046 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0404201)，固态照明与节能电子学协同创新中心资助项目，江苏高校优势学科建设工程资助项目，国网山东电力公司技术开发基金 |
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| 摘 要： | 利用有限元法对单片6英寸(1英寸=2.54 cm)GaN衬底用氢化物气相外延(HVPE)生长系统的工艺参数进行了数值模拟和优化.通过建立反应室二维几何模型,依次改变HVPE系统中的GaCl,NH3和分隔气(N2)流速等主要参数进行数值模拟,研究分析了反应室内各反应物的浓度分布和衬底上GaN的生长速率变化,同时考虑了涡旋分布以及GaCl出口管壁上寄生沉积等对衬底上GaN生长的影响,并给出了HVPE系统高速率均匀生长GaN的优化参数.模拟分析还表明,适当降低HVPE反应室内的压强可以改善衬底上GaN生长的均匀性.
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| 关 键 词： | 氢化物气相外延(HVPE) 氮化镓(GaN) 数值模拟 生长速率 相对均匀性 |
Numerical Simulation of the Large-Scale HVPE Reactor Chamber for the Growth of GaN |
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| Zhu Yuxia,Chen Lin,Gu Shipu,Xiu Xiangqian,Zhang Rong,Zheng Youdou.Numerical Simulation of the Large-Scale HVPE Reactor Chamber for the Growth of GaN[J].Semiconductor Technology,2018,43(8):616-621. |
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| Authors: | Zhu Yuxia Chen Lin Gu Shipu Xiu Xiangqian Zhang Rong Zheng Youdou |
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