| 300mm硅片化学机械抛光技术分析 |
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| 引用本文： | 闫志瑞,鲁进军,李耀东,王继,林霖.300mm硅片化学机械抛光技术分析[J].半导体技术,2006,31(8):561-564. |
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| 作者姓名： | 闫志瑞 鲁进军 李耀东 王继 林霖 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,有研半导体材料股份有限公司,北京,100088 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 化学机械抛光是单晶硅衬底和集成电路制造中的关键技术之一,然而,传统的化学机械抛光技术还存在一定的缺点或局限性,为了得到更好的硅片平整度和表面洁净度,在300mm硅片的生产中采用了双面化学机械抛光技术.对双面化学机械抛光的优点以及系统变量对抛光速度和抛光质量的影响进行了详细地分析.
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| 关 键 词： | 化学机械抛光 超大规模集成电路 硅片 双面抛光 硅片 化学机械抛光 技术分析 Wafer Analysis 影响 抛光质量 速度 系统变量 生产 表面洁净度 平整度 存在 抛光技术 集成电路制造 单晶硅衬底 |
| 文章编号： | 1003-353X(2006)08-0561-04 |
| 收稿时间： | 2006-02-14 |
| 修稿时间： | 2006年2月14日 |
Technology Analysis of 300mm Wafer CMP |
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| YAN Zhi-rui,LU Jin-jun,LI Yao-dong,WANG Ji,LIN Lin.Technology Analysis of 300mm Wafer CMP[J].Semiconductor Technology,2006,31(8):561-564. |
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| Authors: | YAN Zhi-rui LU Jin-jun LI Yao-dong WANG Ji LIN Lin |
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| Affiliation: | GRINM Semiconductor Materials Co.Ltd, Beijing 100088, China |
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| Abstract: | Chemical mechanical polishing(CMP) is one of core technologies in silicon substrate and IC fabrication. However, the traditional CMP technology has some disadvantages and limitations. For more better flatness and surface of silicon wafer, double side polishing (DSP) was used in 300mm silicon wafer manufacture. The advantages of DSP and the influence of system variables on the remove rate and quality were analyzed. |
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| Keywords: | CMP ULSI wafer double side polishing(DSP) |
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