532nm光诱导下低损耗As_2S_3光纤纤芯的光敏性及其光阻断效应现象

实验研究了低损耗硫系玻璃As_2S_3光纤的纤芯在532nm近带隙光照射下的光敏性。实验结果表明,光开始照射时其纤芯的光致折射率变化朝负方向快速减小,然后随着光照时间延长,折射率变化朝正方向缓慢恢复增加。这两个过程经历的时间和折射率变化的大小均取决于光照功率。光照功率增大到一定阈值时,在恢复过程中,光致折射率变化出现正增加,且随光照功率继续增大和曝光时间延长,折射率变化可增加到约3×10-3。另外,实验初步制备了As_2S_3光纤的布拉格光栅,曝光期间其中心波长先蓝移,后恢复并红移。同时,实验还发现,在近带隙光照下As_2S_3光纤出现光阻断效应现象,其截止效率约为55%。