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| 氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究 | |
| 引用本文： | 李微,潘景薪,王登魁,方铉,房丹,王新伟,唐吉龙,王晓华,孙秀平.氮δ掺杂Cu_2O薄膜的生长及物性研究[J].中国激光,2018(1). |
| 作者姓名： | 李微 潘景薪 王登魁 方铉 房丹 王新伟 唐吉龙 王晓华 孙秀平 |
| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;长春理工大学理学院; |
| 摘 要： | 采用等离子体增强原子层沉积(PEALD)技术,以NH3为掺杂源,制备了氮δ掺杂Cu_2O薄膜,研究了N掺杂对Cu_2O薄膜表面形貌、光学及电学性质的影响。研究结果表明,N掺杂引起了晶格畸变,Cu_2O薄膜的表面粗糙度增大;掺杂后Cu_2O薄膜的带隙宽度从2.70eV增加到3.20eV,吸收边变得陡峭;掺杂后载流子浓度为6.32×1019 cm~(-3),相比于未掺杂样品(5.77×1018 cm~(-3))的提升了一个数量级。 |
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