氧化限制型795 nm垂直腔面发射激光器 |
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引用本文: | 聂语葳,李伟,吕家纲,潘智鹏,刘素平,马骁宇.氧化限制型795 nm垂直腔面发射激光器[J].中国激光,2024(6):28-37. |
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作者姓名: | 聂语葳 李伟 吕家纲 潘智鹏 刘素平 马骁宇 |
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作者单位: | 1. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(62174154); |
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摘 要: | 单模795 nm垂直腔面发射激光器作为铷原子钟的激光光源,一般采用氧化限制结构获得单模输出。对垂直腔面发射激光器外延结构以及氧化限制孔径进行了优化设计。基于有限元分析方法,利用光纤波导理论和热电耦合模型,对氧化孔径的光学和电学限制进行了模拟,计算分析了实现单模和良好热电特性所需的氧化孔径大小。实验制备了具有不同氧化孔径的器件,并进行了功率-电流以及光谱特性测试。当氧化孔径为1.9μm时,在3~7 mA注入电流下器件始终保持单模输出,边模抑制比大于35 dB;器件保持单模输出的最大氧化孔径为3.8μm,室温下阈值电流为1 mA,最大饱和输出功率为2 mW,斜率效率为0.3 W/A,3 mA注入电流下的出射波长为790 nm,边模抑制比大于30 dB。制备的室温下单模特性良好的790 nm垂直腔面发射激光器,为实现高温下795 nm偏振稳定单模输出提供了可能。
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关 键 词: | 激光器 垂直腔面发射激光器 铷原子钟 单模 氧化限制层 |
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