| 非均匀阱宽多量子阱1.55 μm高功率超辐射光源 |
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| 引用本文： | 刘杨,宋俊峰,曾毓萍,吴宾,张源涛,许呈栋,杜国同.非均匀阱宽多量子阱1.55 μm高功率超辐射光源[J].中国激光,2003,30(2):109-112. |
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| 作者姓名： | 刘杨 宋俊峰 曾毓萍 吴宾 张源涛 许呈栋 杜国同 |
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| 作者单位： | 吉林大学电子工程系集成光电子国家重点实验室,吉林,长春,130023 |
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| 基金项目： | 国家“86 3”高技术计划，国家自然科学基金 (6 0 0 770 2 1)，973重大基础研究项目 (G2 0 0 0 0 36 6 0 5 )资助项目 |
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| 摘 要： | 采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,光谱半宽由原来的 2 0～ 30nm ,增加到 4 5～ 6 0nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力 ,在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下 ,器件最大峰值功率已达到 15 0mW以上。
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| 关 键 词： | 量子光学 超辐射发光管 非均匀阱宽多量子阱 半导体光放大器 单片集成 光谱分割 多波长光源 |
| 收稿时间： | 2001/6/25 |
Wide-spectrum High-power 1.55 μm Superluminescent Light Source with Non-uniform Well-thickness Multi-quantum Wells |
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| LIU Yang,SONG Jun feng,ZENG Yu ping,WU Bin,ZHANG Yuan tao,XU Dong cheng,DU Guo tong.Wide-spectrum High-power 1.55 μm Superluminescent Light Source with Non-uniform Well-thickness Multi-quantum Wells[J].Chinese Journal of Lasers,2003,30(2):109-112. |
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| Authors: | LIU Yang SONG Jun feng ZENG Yu ping WU Bin ZHANG Yuan tao XU Dong cheng DU Guo tong |
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| Abstract: | In this paper, non uniform well thickness multi quantum wells (NWT MQWs) materials were adopted to widen the output spectrum of superluminescent device. A novel type of 1 55 μm high power wide spectrum InGaAsP/InP integrated superluminescent light source was fabricated based on the tilted ridge waveguide integrated superluminescent light source. The spectral halfwidth is increased from 20～30 nm with the uniform well thickness devices to 45～60 nm. The quasi CW superluminescent power of the device is over 150 mW. |
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| Keywords: | quantum optics superluminescent diode non uniform well thickness multi quantum wells semiconductor optical amplifier monolithic integration spectrum slicing multiwavelength light source |
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