| 基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计 |
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| 引用本文： | 魏迎军,张飞.基于衬底注入技术的交叉耦合式QVCO设计[J].现代雷达,2018,40(12):74-77. |
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| 作者姓名： | 魏迎军 张飞 |
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| 作者单位： | 黄淮学院机械与能源工程学院；黄淮学院信息工程学院,黄淮学院机械与能源工程学院；黄淮学院信息工程学院 |
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| 基金项目： | 河南省科技厅项目(152102110039) |
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| 摘 要： | 提出了一种基于衬底注入技术的正交压控振荡器(QVCO)。此QVCO的实现是基于两个电感电容压控振荡器的耦合作用,并没有任何额外的耦合器件。在相位噪声、正交相位误差、调谐范围以及功耗方面,对所提出的QVCO与传统的QVCO进行了比较。仿真表明:该QVCO在4.1 GHz处取得了0.62°的正交相位误差,采用标准的0.13 μm 互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺对该QVCO进行流片实现,芯片面积为0.51 mm×0.87 mm。测试结果表明:在3.95 GHz处的相位误差为-118.5 dBc/ Hz@1 MHz,在0.5 V 电源电压供电下,消耗的功耗为0.41 mW,适用于低功耗需求场合。
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| 关 键 词： | 互补金属氧化物半导体集成电路 低功耗 衬底注入 交叉耦合 正交压控振荡器 |
Design of a Cross-coupling QVCO Using Bulk-injection Technique |
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| WEI Yingjuna and ZHANG Fei.Design of a Cross-coupling QVCO Using Bulk-injection Technique[J].Modern Radar,2018,40(12):74-77. |
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| Authors: | WEI Yingjuna and ZHANG Fei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | complementary metal oxide semiconductor integrated circuit low power bulk-injection cross coupling quadrature |
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