低能电子束扫描技术测量逸出功分布

本文利用低能电子束扫描技术,用慢扫描电路与 x-y 记录仪匹配的方法,分析了表面逸出功分布及其变化。对钡钨阴极的测量表明:它激活前后,寿命过程逸出功分布有明显的变化;氧化物阴极的逸出功分布比钡钨阴极更不均匀。激活良好的阴极,逸出功分布符合 Gauss 分布。本文还观察了 W 与 Si 单晶的低能电子反射现象,测得 Si(100)面自费米能级到导带底的宽度 E_C=1.2eV,电子亲和势 x≈3.6eV。