| 一款700V功率场效应管失效分析与改进 |
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| 引用本文： | 汪德波,冯全源,陈晓培.一款700V功率场效应管失效分析与改进[J].电子元件与材料,2014(12):82-85. |
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| 作者姓名： | 汪德波 冯全源 陈晓培 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所,四川 成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61271090)；国家高技术研究发展计划“863计划”重大项目资助 |
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| 摘 要： | 对一款700 V功率场效应管失效芯片进行亮点分析,并通过TCAD软件进行数值仿真验证失效原因。最后对失效管的终端进行了改进设计,在215μm的终端长度上实现了779 V的耐压。结果表明,其硅表面最大场强为2.65×105 V/cm,有效解决了芯片失效问题,提高了器件的可靠性。同时终端长度比原失效终端长度缩小了13%,有效减小了器件的面积。
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| 关 键 词： | 功率场效应管 失效分析 可靠性 终端结构 击穿电压 芯片面积 |
Failure analysis and improvement of 700 V power MOSFET |
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| WANG Debo
,
FENG Quanyuan
,
CHEN Xiaopei.Failure analysis and improvement of 700 V power MOSFET[J].Electronic Components & Materials,2014(12):82-85. |
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| Authors: | WANG Debo FENG Quanyuan CHEN Xiaopei |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power MOSFET failure analysis reliability terminal structure breakdown voltage chip area |
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