| 高压功率VDMOS元胞的研制 |
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| 引用本文： | 干红林,冯全源,王丹.高压功率VDMOS元胞的研制[J].电子元件与材料,2015(2). |
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| 作者姓名： | 干红林 冯全源 王丹 |
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| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所,四川 成都,610031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61271090)；国家高技术研究发展计划(863计划)重大项目资助 |
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| 摘 要： | 基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%,表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。
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| 关 键 词： | 功率器件 垂直双扩散场效应管 元胞设计 导通电阻 版图 流片 |
Development of the cell of high voltage power VDMOS |
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| GAN Honglin,FENG Quanyuan,WANG Dan.Development of the cell of high voltage power VDMOS[J].Electronic Components & Materials,2015(2). |
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| Authors: | GAN Honglin FENG Quanyuan WANG Dan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | power device VDMOS cell design on-resistance layout tape-out |
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