| 一款800V VDMOS终端结构的设计 |
| |
| 引用本文： | 刘铭,冯全源,陈晓培,庄圣贤.一款800V VDMOS终端结构的设计[J].电子元件与材料,2015(6):66-69. |
| |
| 作者姓名： | 刘铭 冯全源 陈晓培 庄圣贤 |
| |
| 作者单位： | 西南交通大学 微电子研究所,四川 成都,611756 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(No.61271090)；四川省科技支撑计划项目资助 |
| |
| 摘 要： | 设计了一款800 V VDMOS终端结构,采用场限环(FLR)与场板(FP)相结合的方式,在场限环上添加多晶硅场板与金属场板,有效地降低了表面电场峰值。通过调整终端结构,在135μm的有效终端长度上实现了848 V的击穿电压,最大表面电场为2.34×105 V/cm,小于工业界判断器件击穿场强标准(2.5×105 V/cm),且电场分布比较均匀,终端结构的稳定性和可靠性高。
|
| 关 键 词： | 终端结构 场限环 场板 结深 表面电场 击穿电压 |
Design of 800 V VDMOS termination structure |
| |
| LIU Ming,FENG Quanyuan,CHEN Xiaopei,ZHUANG Shengxian.Design of 800 V VDMOS termination structure[J].Electronic Components & Materials,2015(6):66-69. |
| |
| Authors: | LIU Ming FENG Quanyuan CHEN Xiaopei ZHUANG Shengxian |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | termination structure field limiting ring field plate junction depth surface electric field breakdown voltage |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
