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| 电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型 | |
| 引用本文： | 胡恩平,罗兴柏,彭永怀.电子元件参数漂移的MΦItoft统计模型[J].电子元件与材料,2001,20(1):1-2,4. |
| 作者姓名： | 胡恩平 罗兴柏 彭永怀 |
| 作者单位： | 军械工程学院, |
| 摘 要： | 参数漂移模型描述了元件参数从额定值发生偏移的行为。随着可靠性朝无故障寿命或无需维修工作周期的方向发展，对产品的参数漂移进行研究越来越显重要。利用MφItoft统计模型描述了电子元件的参数漂移行为，通过元件的早期寿命测试来预测元件寿命，并给出了应用实例。 |
| 关 键 词： | 电子元件 参数漂移 MφItoft统计模型 |
| 文章编号： | 1001-2028(2001)01-0001-02 |
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