| 铅基卤素钙钛矿阻变式存储器研究进展 |
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| 引用本文： | 曾凡菊,谭永前,胡伟,唐孝生,尹海峰.铅基卤素钙钛矿阻变式存储器研究进展[J].电子元件与材料,2022,41(1):19-29,39. |
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| 作者姓名： | 曾凡菊 谭永前 胡伟 唐孝生 尹海峰 |
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| 作者单位： | 凯里学院 大数据工程学院, 贵州 凯里 556011;重庆大学 光电工程学院, 重庆 400044;凯里学院 大数据工程学院, 贵州 凯里 556011;重庆大学 光电工程学院, 重庆 400044;重庆大学 光电工程学院, 重庆 400044;重庆邮电大学 光电学院, 重庆 400065 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金面上项目(61975023);凯里学院博士专项课题(BS202004);凯里学院学术新苗培养及创新探索专项课题(黔科合平台人才[2019]01-4)。 |
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| 摘 要： | 随着数字通信在大数据以及物联网等领域的应用,推动了下一代存储设备的发展。阻变式存储器因其功耗低、尺寸可调、操作速度快等优点被认为是最有前景的信息存储器件之一。近年来,兼具成本低、带隙可调、载流子扩散长度长、离子迁移速率快、载流子迁移率高等优点的铅基卤素钙钛矿,在阻变式存储器领域引起了广泛关注。主要对铅基卤素钙钛矿阻变式存储器最新研究进展进行了概述,就铅基卤素钙钛矿阻变式存储器结构、阻变性能、阻变机理等方面进行了综述。最后,对铅基卤素钙钛矿阻变式存储器当前面临的挑战进行了讨论,并对其未来的发展前景进行了展望。
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| 关 键 词： | 铅基卤素钙钛矿 阻变式存储器 综述 阻变性能 阻变机理 |
Review of lead halide perovskite based resistive random access memories |
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| ZENG Fanju,TAN Yongqian,HU Wei,TANG Xiaosheng,YIN Haifeng.Review of lead halide perovskite based resistive random access memories[J].Electronic Components & Materials,2022,41(1):19-29,39. |
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| Authors: | ZENG Fanju TAN Yongqian HU Wei TANG Xiaosheng YIN Haifeng |
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| Affiliation: | (School of Big Data Engineering,Kaili University,Kaili 556011,Guizhou Province,China;College of Optoelectronic Engineering,Chongqing University,Chongqing 400044,China;College of Optoelectronic Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,Chongqing 400065,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lead halide perovskite resistive random access memories review resistive switching performance resistive switching mechanism |
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