| 不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响北大核心CSCD |
| |
| 引用本文： | 魏艺璇,王辰伟,刘玉岭,赵红东.不同表面活性剂对铜互连阻挡层CMP一致性的影响北大核心CSCD[J].电子元件与材料,2022(10):1108-1113. |
| |
| 作者姓名： | 魏艺璇 王辰伟 刘玉岭 赵红东 |
| |
| 作者单位： | 1.河北工业大学电子信息工程学院300130;2.天津市电子材料与器件重点实验室300130;3.光电信息控制和安全技术重点实验室300308; |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(62074049)；天津市科技计划项目(21YDTPJC00050)；光电信息控制和安全技术重点实验室基金(2021JCJQLB055008)。 |
| |
| 摘 要： | 为实现铜互连阻挡层化学机械抛光的高平坦化,研究了阻挡层抛光液中表面活性剂的作用。在抛光液中分别添加非离子型表面活性剂异辛醇聚氧乙烯醚(JFC-E)、本课题组研发的Ⅱ型活性剂以及复合表面活性剂,研究其对阻挡层CMP中铜和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率及一致性的影响。实验结果表明,表面活性剂不仅可以改善Cu和TEOS的去除速率一致性和晶圆全局一致性,还可以降低铜表面的粗糙度,通过复配两种不同的表面活性剂,可以提高Cu和TEOS的去除速率,使Cu和TEOS的剩余厚度片内非均匀性(WIWNU)分别降低至1.39%和1.38%,铜表面粗糙度从5.25 nm降至1.51 nm。基于实验结果,研究并提出了表面活性剂影响抛光液润湿性,从而改善片内非均匀性和铜表面质量的机理。
|
| 关 键 词： | 化学机械抛光 表面活性剂 去除速率 片内非均匀性 粗糙度 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ |
|
