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| 电力半导体模块新趋势 | |
| 引用本文： | 曹杰,吴济均.电力半导体模块新趋势[J].中国电子商情,2004(1):49-51. |
| 作者姓名： | 曹杰 吴济均 |
| 作者单位： | [1]淄博市临淄银河高技术开发有限公司 [2]西安电力电子技术研究所 |
| 摘 要： | 一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件，目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。 |
| 关 键 词： | 电力半导体模块 MOS结构 晶闸管 IGBT智能模块 |
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