| LED外延片上芯片静电击穿的测试分析 |
| |
| 引用本文： | 李抒智,庄美琳,严伟,张丽超.LED外延片上芯片静电击穿的测试分析[J].半导体光电,2015,36(2):209-212. |
| |
| 作者姓名： | 李抒智 庄美琳 严伟 张丽超 |
| |
| 作者单位： | 上海半导体照明工程技术研究中心,上海,201203;北京大学上海微电子研究院,上海,201203 |
| |
| 基金项目： | 上海市科学技术委员会科研项目(09DZ1142200) |
| |
| 摘 要： | 利用静电仪和HBM模型研究了GaN基LED外延片上芯片的抗静电性能,并根据pn结势垒电容的特性,对实验结果进行了分析.实验结果表明,缺陷击穿与外延片的工艺有着密切的关系;随着外延片上芯片尺寸的增大,其抗静电能力也随之增强.
|
| 关 键 词： | LED 外延片 HBM模型 抗静电能力 |
| 收稿时间： | 2014/12/7 0:00:00 |
Analysis on the Electrostatic Piercing Test of the chips on the LED Epitaxial Wafers |
| |
| LI Shuzhi
,
ZHUANG Meilin
,
YAN Wei
,
ZHANG Lichao.Analysis on the Electrostatic Piercing Test of the chips on the LED Epitaxial Wafers[J].Semiconductor Optoelectronics,2015,36(2):209-212. |
| |
| Authors: | LI Shuzhi ZHUANG Meilin YAN Wei ZHANG Lichao |
| |
| Affiliation: | LI Shuzhi;ZHUANG Meilin;YAN Wei;ZHANG Lichao;Shanghai Research Center of Engineering and Technology for Solid-state Lighting;Shanghai Research Institute of Microelectronics,Peking University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | LED epitaxial wafer HBM model antistatic ability |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体光电》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体光电》下载全文 |
|
