| Si/InP键合界面的研究 |
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| 引用本文： | 陈松岩,何国荣,谢生.Si/InP键合界面的研究[J].半导体光电,2004,25(2):139-142. |
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| 作者姓名： | 陈松岩 何国荣 谢生 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 摘 要： | 应用疏水处理方法成功实现了Si/InP的键合,然后通过对InP和Si的表面XPS能谱分析得到界面信息,从而了解键合机理.I-V曲线也反应了键合界面的性质,通过450、550℃退火样品的伏安特性可知道,对于InP/Si键合结构而言,退火温度与界面特性应该存在最佳值.
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| 关 键 词： | 键合 X射线光电子能谱 Si/InP界面 |
| 文章编号： | 1001-5868(2004)02-0139-04 |
| 修稿时间： | 2003年10月24日 |
Study of Si/InP Wafers Bonding Interface |
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| CHEN Song-yan,HE Guo-rong,XIE Sheng Dept. of Physics,Xiamen University,Xiamen ,CHN.Study of Si/InP Wafers Bonding Interface[J].Semiconductor Optoelectronics,2004,25(2):139-142. |
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| Authors: | CHEN Song-yan HE Guo-rong XIE Sheng Dept of Physics Xiamen University Xiamen CHN |
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| Affiliation: | CHEN Song-yan,HE Guo-rong,XIE Sheng Dept. of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,CHN |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bonding XPS Si/InP interface |
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