| InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算 |
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| 引用本文： | 张永刚,李爱珍,陈建新.InAsP/InGaAsP量子阱的子带跃迁计算[J].半导体光电,1999,20(5):2. |
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| 作者姓名： | 张永刚 李爱珍 陈建新 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050 |
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| 摘 要： | 采用有效质量框架下一维有限深单阱的Ｋｒｏｎｉｇ － Ｐｅｎｅｙ 模型对ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 量子阱结构的跃迁波长与组分及阱宽间的关系进行了计算，并采用能量平衡模型计算了此材料体系的生长临界厚度。计算结果表明，ＩｎＡｓｙＰ１ － ｙ／Ｉｎ１ － ｘ ＧａｘＡｓｙＰ１ － ｙ 是制作１ ．３ μｍ 或１ ．５５ μｍ 波长量子阱激光器的良好材料体系，此材料体系在２ ～３ μｍ 的中红外波段也有很大潜力。采用ｙ 约为０ ．４ 的组分和约１ ．３ ％ 的压应变可以满足１ ．３ μｍ 波长激光器的要求， 而ｙ 约为０ ．５５ 的组分和约１ ．８ ％ 的压应变可以满足１ ．５５ μｍ 波长激光器的要求。
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| 关 键 词： | 光电器件 半导体激光器 量子阱结构 化合物半导体 子带跃迁 |
| 修稿时间： | 1998-12-22 |
Subband transition calculation of InAsP/InGaAsP quantum wells |
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| ZHANG Yong-gang,LI Ai-zhen,CHEN Jian-xin.Subband transition calculation of InAsP/InGaAsP quantum wells[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(5):2. |
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| Authors: | ZHANG Yong-gang LI Ai-zhen CHEN Jian-xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | optoelectronic device semiconductor laser quantum well structure compound semiconductor subband transition |
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