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4096×4096元全帧转移CCD的设计和研制
引用本文:王颖,权利,张坤,周建勇.4096×4096元全帧转移CCD的设计和研制[J].半导体光电,2011,32(6):762-764.
作者姓名:王颖  权利  张坤  周建勇
作者单位:1. 重庆光电技术研究所,重庆,400060
2. 中国国防科技信息研究中心,北京,100142
基金项目:国家核高基重大专项支持课题
摘    要:重点讨论了像元尺寸为11μm×11μm的4096×4096元可见光CCD全帧转移结构和技术性能参数的设计,采用CCD埋沟工艺和辐射加固技术,研制出了高性能4096X4096元可见光CCD。结果表明器件动态范围达到75dB,读出噪声电子数为30,暗电流产生率为2mV/s,响应非均匀性为2%,非线性为0.4%,且具有抗γ射线辐射能力。

关 键 词:全帧转移CCD设计与研制  测试结果

Design and Fabrication of Full Frame Transfer 4096×4096 CCD
WANG Ying,QUAN Li,ZHANG Kun,ZHOU Jianyong.Design and Fabrication of Full Frame Transfer 4096×4096 CCD[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(6):762-764.
Authors:WANG Ying  QUAN Li  ZHANG Kun  ZHOU Jianyong
Affiliation:1(1.Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN; 2.Chinese Research Center of Defence Technology Information,Beijing 100142,CHN)
Abstract:
Keywords:full frame transfer charge-coupled device(CCD)  design and fabrication  test results
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