| Si基的 RICBD法生长GaN薄膜 |
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| 引用本文： | 蔡先体,黄启俊,黄浩,孟宪权,郭怀喜,范湘军.Si基的 RICBD法生长GaN薄膜[J].半导体光电,2001,22(1):26-30. |
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| 作者姓名： | 蔡先体 黄启俊 黄浩 孟宪权 郭怀喜 范湘军 |
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| 作者单位： | 武汉大学 物理系, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;19775036; |
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| 摘 要： | 讨论反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点，利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在S i 衬底上生长GaN薄膜，并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析，证实形成了良好的GaN薄膜。
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| 关 键 词： | 反应离化团簇束沉积 氮化钙薄膜 硅基 |
| 文章编号： | 1001-5868(2001)01-0026-05 |
| 修稿时间： | 2000年7月10日 |
GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate |
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| CAI Xian-ti,HUANG Qi-jun,HUANG Hao,MENG Xian-quan,GUO Huai-xi,FAN Xiang-Jun.GaN Films Grown by RICBD on Si Substrate[J].Semiconductor Optoelectronics,2001,22(1):26-30. |
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| Authors: | CAI Xian-ti HUANG Qi-jun HUANG Hao MENG Xian-quan GUO Huai-xi FAN Xiang-Jun |
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| Abstract: | The principle and properties of reactive ionized cluster beam deposition technique(RICBD) have been introduced.With double-flow method and ZnO buffer layer technique, GaN films on Si substrate are fabricated. Analysis and measurement by XPS,XRD and PL have shown that the GaN films are relatively perfect. |
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| Keywords: | reactive ionized cluster beam deposition GaN films buffer layer |
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