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CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
引用本文:严剑飞,吴志明,太惠玲,李娴,肖战菲,朱涛,熊丽霞,罗振飞.CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究[J].半导体光电,2011,32(2):168-171,279.
作者姓名:严剑飞  吴志明  太惠玲  李娴  肖战菲  朱涛  熊丽霞  罗振飞
作者单位:电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
基金项目:中央高校基本科研业务费专项资金项目(ZYGX2009J052);中央高校基本科研业务费学生专用资金项目
摘    要:以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。

关 键 词:CuPc  有机薄膜晶体管  迁移率  体电导率  阈值电压

Study on Stability of Organic Field-effect Transistors Based on CuPc
YAN Jianfei,WU Zhiming,TAI Huiling,LI Xian,XIAO Zhanfei,ZHU Tao,XIONG Lixi,LUO Zhenfei.Study on Stability of Organic Field-effect Transistors Based on CuPc[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(2):168-171,279.
Authors:YAN Jianfei  WU Zhiming  TAI Huiling  LI Xian  XIAO Zhanfei  ZHU Tao  XIONG Lixi  LUO Zhenfei
Affiliation:YAN Jianfei,WU Zhiming,TAI Huiling,LI Xian,XIAO Zhanfei,ZHU Tao,XIONG Lixia,LUO Zhenfei(State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices,School of Optoelectronic Information,University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,CHN)
Abstract:The Organic Thin Films Transistors(OTFTs) with the ratio of channel width to length as 6 000/10 were fabricated.The copper phthalocyanine and silicon dioxide were used as the active layer and the insulating layer,respectively,and titanium/aurum were made as the electrode for the prepared OTFTs.The effect of the circumstance on the device was analyzed by comparing its electrical properties when it was in the air for different periods.The results show that when the device is in the air,its carrier concentrati...
Keywords:CuPc  organic thin film transistors  mobility  bulk conductivity  threshold voltage  
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