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| 掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究 | |
| 引用本文： | 史磊,李伟,匡跃军,廖乃镘,蒋亚东.掺磷a-Si∶H红外薄膜电阻率及电阻温度系数研究[J].半导体光电,2007,28(1). |
| 作者姓名： | 史磊 李伟 匡跃军 廖乃镘 蒋亚东 |
| 作者单位： | 电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054;电子科技大学,光电信息学院,四川,成都,610054 |
| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料,对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究.结果表明,掺磷a-Si∶H薄膜的电阻率随磷掺杂比(PH3/SiH4)的增大和气体温度的升高而降低,但随退火温度的升高而增大;掺磷a-Si∶H薄膜的电阻温度系数随薄膜自身电阻率的增大而增大,但随环境温度的升高而降低. |
| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 掺磷非晶硅薄膜 电阻率 电阻温度系数 |
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