| 黑硅微结构光敏二极管 |
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| 引用本文： | 王文革,李华高,龙飞,李睿智,李平,张昌丽,李益.黑硅微结构光敏二极管[J].半导体光电,2015,36(6):892-894. |
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| 作者姓名： | 王文革 李华高 龙飞 李睿智 李平 张昌丽 李益 |
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| 作者单位： | 海军装备部驻重庆地区军事代表局,重庆,400060;重庆光电技术研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 与平面硅相比,黑硅对0.25～2.5μm波长光具有高吸收特性.为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间,采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构.在1 064 nm波长,探测器红外响应达到0.518 A/W,比常规探测器量子效率提高了65％.
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| 关 键 词： | 金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 |
| 收稿时间： | 2015/5/16 0:00:00 |
Black Silicon Microstructure Photodiodes |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | metal-assisted chemical etching black silicon photodiode quantum efficiency |
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