Optimization of 16×0.8 nm Si-based SiO_2 Arrayed Waveguide Grating |
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引用本文: | 安俊明,李健,郜定山,李建光,王红杰,胡雄伟.Optimization of 16×0.8 nm Si-based SiO_2 Arrayed Waveguide Grating[J].半导体光电,2004(5). |
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作者姓名: | 安俊明 李健 郜定山 李建光 王红杰 胡雄伟 |
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作者单位: | 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心,中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 北京100083内蒙古大学物理系内蒙古呼和浩特010021,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083,北京100083 |
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摘 要: | 对设计的折射率差为0.75%的16×0.8nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD BPM)进行了数值模拟和优化。通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5dB、串扰为-48dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求。
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关 键 词: | 阵列波导光栅 波分复用 优化 数值模拟 |
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