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| GaAs衬底上低温热分解生长扩散掩膜 | |
| 引用本文： | 邓希敏,任临福,杨文彦.GaAs衬底上低温热分解生长扩散掩膜[J].半导体光电,1981(2). |
| 作者姓名： | 邓希敏 任临福 杨文彦 |
| 作者单位： | 吉林大学半导体系 (邓希敏，任临福)，吉林大学半导体系(杨文彦) |
| 摘 要： | 一、引言GaAs器件和Si器件一样,也常常需要一种钝化膜来提高器件的可靠性,或是作为杂质选择扩散的掩膜。目前GaAs器件常用的介质膜有Si_3N_4膜、SiO_2膜、Al_2O_3膜和GaAs自身氧化膜(阳极氧化、等离子氧化等) 用正硅酸乙酯热分解生成SiO_2膜和PSG膜是硅平面工艺中常用的方法,这种方法工艺简单、安全、容易控制。但在GaAs衬底上如用Si器件的热分解工艺,当分解温度为700℃—800℃时,会使GaAs表面离解,造成缺陷,影响器件的电参数。为了防止GaAs衬底的分解,我们在尽可能低的温度下,预先在GaAs衬底上淀积一层薄膜,此膜可以 |
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