| InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究 |
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| 引用本文： | 冯士维,王承栋,杨集,张弓长,卢毅成.InP/InGaAs探测器光响应度与波长关系的研究[J].半导体光电,2007,28(4):464-466,470. |
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| 作者姓名： | 冯士维 王承栋 杨集 张弓长 卢毅成 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022
2. Rutgers大学,电子工程与计算机系,美国,新泽西,08854 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金
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教育部出国留学人员启动基金 |
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| 摘 要： | 对于正面光入射的InP/InGaAs探测器,入射光会在空气、增透膜、InP盖层和InGaAs层之间发生多次反射.为了研究其对光响应度的影响,我们测量发现:探测器的光响应度会随探测波长出现非平坦的峰谷曲线,并且通过对该曲线上峰谷波长的简单数学处理,可以提取出已封装器件的结构参数和材料参数,而且这些参数与实验曲线符合得很好.利用该方法可以简单方便地提取出已封装器件的实际结构参数和材料参数.
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| 关 键 词： | 探测器 光响应度 多层反射 拟合 InGaAs 探测器 响应度 波长 关系 研究 Responsivity Photo Study 方法 利用 实验曲线 材料参数 结构参数 封装器件 提取 数学处理 峰谷 发现 测量 |
| 文章编号： | 1001-5868（2007）04-0464-03 |
| 修稿时间： | 2006-12-12 |
Study on the Photo Responsivity of InP/InGaAs Detector with the Wavelengths |
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| FENG Shi-wei,WANG Cheng-dong,YANG Ji,ZHANG Gong-chang,LU Yi-cheng.Study on the Photo Responsivity of InP/InGaAs Detector with the Wavelengths[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(4):464-466,470. |
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| Authors: | FENG Shi-wei WANG Cheng-dong YANG Ji ZHANG Gong-chang LU Yi-cheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | detector photo responsivity multi-layer reflection regression |
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