| 掺锂氧化锌纳米线的光致发光特性 |
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| 引用本文： | 潘志峰,陈长青,李云涛,唐伟跃,李立祥.掺锂氧化锌纳米线的光致发光特性[J].半导体光电,2011,32(4):506-508,512. |
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| 作者姓名： | 潘志峰 陈长青 李云涛 唐伟跃 李立祥 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院,郑州,450000;郑州大学物理工程学院,郑州,450000;郑州大学物理工程学院,郑州,450000;郑州大学物理工程学院,郑州,450000;郑州大学物理工程学院,郑州,450000 |
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| 基金项目： | 河南省基础与前沿技术研究计划项目(112300410020);河南省教育厅自然科学研究项目(2011A140024) |
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| 摘 要： | 氧化锌（ZnO）是直接宽带隙半导体材料,有高达60meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。首先制备了优良的多孔氧化铝（Anodic Aluminum Oxide）有序孔洞阵列;以其为模板,采用直流电化学沉积的方法,在其规则排列的孔中沉积得到锌的纳米线;然后将其在高温下氧化,得到氧化锌的纳米线。XRD图显示Li掺杂前后的ZnO纳米线具有较好的晶态结构。对Li掺杂前后的ZnO纳米线进行光学特性测量,结果表明,ZnO纳米线有两个发光峰,分别位于382nm和508nm处;Li掺杂较大地改善了ZnO纳米线的发光性能,本征发光峰移到395nm处,蓝绿发光强度也有了很大程度的提高。
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| 关 键 词： | 氧化锌纳米线 掺杂 发光特性 |
Luminescence Properties of Li-doping ZnO Nanowires |
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| PAN Zhifeng,CHEN Changqing,LI Yuntao,TANG Weiyue,LI Lixiang.Luminescence Properties of Li-doping ZnO Nanowires[J].Semiconductor Optoelectronics,2011,32(4):506-508,512. |
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| Authors: | PAN Zhifeng CHEN Changqing LI Yuntao TANG Weiyue LI Lixiang |
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| Affiliation: | (College of Physical Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450000,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanowires Li-doping luminescence |
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