| CCD用透明栅电极的制作 |
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| 引用本文： | 李华高,赵梁博,邓涛,曾武贤,向华兵,熊玲.CCD用透明栅电极的制作[J].半导体光电,2010,31(5). |
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| 作者姓名： | 李华高 赵梁博 邓涛 曾武贤 向华兵 熊玲 |
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| 作者单位： | 重庆光电技术研究所,重庆,400060;天津工业大学信息与通信工程学院,天津,300160 |
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| 基金项目： | 中国电子科技集团公司CCD研发中心基础技术基金 |
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| 摘 要： | 采用反应溅射法制备了ITO透明导电薄膜材料,薄膜电阻率为2.59×10-4 Ω·cm,可见光透过率可达90%;通过优化光刻工艺条件,选择合适的ITO薄膜刻蚀液,完成了ITO透明栅电极的制作;使用ITO透明电极代替其中一相多晶硅电极,制作的CCD图像传感器,其蓝光响应明显增加.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 透明栅电极 CCD |
Fabrication of Transparent Gate Electrodes for CCD |
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| LI Huagao,ZHAO Liangbo,DENG Tao,ZENG Wuxian,XIANG Huabing,XIONG Ling.Fabrication of Transparent Gate Electrodes for CCD[J].Semiconductor Optoelectronics,2010,31(5). |
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| Authors: | LI Huagao ZHAO Liangbo DENG Tao ZENG Wuxian XIANG Huabing XIONG Ling |
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| Affiliation: | LI Huagao1,ZHAO Liangbo2,DENG Tao1,ZENG Wuxian1,XIANG Huabing1,XIONG Ling1 (1.Chongqing Optoeletronics Research Institute,Chongqing 400060,CHN,2.School of Information and Communication Engineering,Tianjin Polytechnic University,Tianjin 300160,CHN) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CCD |
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