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| 红外读出电子部件：回顾与展望（上） | |
| 引用本文： | Hewi.,MJ 高国龙.红外读出电子部件：回顾与展望（上）[J].红外,1997(1):1-7. |
| 作者姓名： | Hewi. MJ 高国龙 |
| 摘 要： | 休斯公司圣巴巴拉研究中心和休斯技术中心是从七十年代初开始设计和制造第二代读出电子部件的，本文讨论推动这些电路发展的一些因素，如发展过程，存在的问题愉及系统设计等。讨论将从读出部件的单片实施开始一直到比较新的具有较高集成度的混成方法为止。涉及的范围将包括从ＮＭＯＳ或ＰＭＯＳ向ＣＭＯＳ的转变，设计规则的技术的发展，产量，成本以及性能。所有这些都将表明这些发展如何影响读出部件和第二代红外敏感器的，我们还 |
| 关 键 词： | 红外器件 电子器件 红外读出 |
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