| (Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质 |
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| 引用本文： | 陈洪存,王矜奉,王文新,苏文斌,臧国忠,亓鹏,王春明.(Cd,Co,Nb)掺杂的SnO2压敏材料的电学性质[J].压电与声光,2004,26(1):42-44. |
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| 作者姓名： | 陈洪存 王矜奉 王文新 苏文斌 臧国忠 亓鹏 王春明 |
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| 作者单位： | 山东大学,物理与微电子学院,晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50072013) |
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| 摘 要： | 研究了Cd对(Co，Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响。组分为97．65％SnO2 O．75％Co2O3 0．10％Nb2O5 1．50％CdO的压敏电阻具有最大非线性系数(a=22．2)和最高的势垒(ψB=0．761eV)．当CdO的摩尔分数从0增加到3％时，(Co，Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从366V／mm增大到556V／mm，1kHz时的相对介电常数从1429减小到1108。晶界势垒高度测量揭示，SnO2的晶粒尺寸的减小是击穿电压增高和介电常数减小的主要原因。对Cd掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释。
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| 关 键 词： | 氧化镉 二氧化锡 势垒 电学非线性 |
Electrical Properties of (Cd,Co,Nb)-doped SnO2 Varistor |
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| CHENG Hong-cun,WANG Jin-feng,WANG Wen-xin,SU Wen-bin,ZANG Guo-zhong,QI Peng,WANG Chun-min terials,Shandong University,Jinan ,China.Electrical Properties of (Cd,Co,Nb)-doped SnO2 Varistor[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2004,26(1):42-44. |
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| Authors: | CHENG Hong-cun WANG Jin-feng WANG Wen-xin SU Wen-bin ZANG Guo-zhong QI Peng WANG Chun-min terials Shandong University Jinan China |
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| Affiliation: | CHENG Hong-cun,WANG Jin-feng,WANG Wen-xin,SU Wen-bin,ZANG Guo-zhong,QI Peng,WANG Chun-min terials,Shandong University,Jinan 250100,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cadmium oxide tin oxide barrier electrical nonlinearity |
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