| PZT薄膜的深槽反应离子刻蚀研究 |
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| 引用本文： | 张娅,杨成韬,翟亚红,赵鹏.PZT薄膜的深槽反应离子刻蚀研究[J].压电与声光,2011,33(1). |
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| 作者姓名： | 张娅 杨成韬 翟亚红 赵鹏 |
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| 作者单位： | 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054 |
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| 摘 要： | 研究了锆钛酸铅(PZT)薄膜的深槽反应离子刻蚀(DRIE)技术。首先,对比了3种工艺气氛条件下(SF6/Ar、CF4/Ar和CHF3/Ar)刻蚀PZT的效果。实验结果表明,3种工艺气氛下,刻蚀速率都随功率的增加而增加。相同功率下,SF6/Ar的刻蚀速率最高;而CHF3/Ar刻蚀PZT的图形形貌最好,对光刻胶的选择比也最好。最后得出了优化的工艺条件为采用CHF3/Ar,射频(RF)功率为160 W,气体流量比为3∶4(CHF3∶Ar=30 cm3/min:40 cm3/min)时,PZT薄膜的刻蚀速率为9 nm/min,光刻胶的选择比为7。
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| 关 键 词： | 深槽反应离子刻蚀(DRIE) 锆钛酸铅(PZT) 刻蚀速率 |
Study on Deep Reactive Ion Etching of PZT Thin Film |
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| ZHANG Y,YANG Chengtao,ZHAI Yahong,ZHAO Peng.Study on Deep Reactive Ion Etching of PZT Thin Film[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2011,33(1). |
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| Authors: | ZHANG Y YANG Chengtao ZHAI Yahong ZHAO Peng |
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| Affiliation: | ZHANG Ya,YANG Chengtao,ZHAI Yahong,ZHAO Peng(State Key Lab.of Electronic Thin Films and Integrated Devices,University of Electronic Seience and Tehnology of China,Chengdu 610054,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DRIE PZT etching rate |
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