| 基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究 |
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| 引用本文： | 苗湘,闫坤坤,黄歆,姜靖雯,黄小东,王文.基于SOI衬底的宽带低损耗声表面波滤波器研究[J].压电与声光,2022,44(5):718-721. |
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| 作者姓名： | 苗湘 闫坤坤 黄歆 姜靖雯 黄小东 王文 |
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| 作者单位： | 北京中科飞鸿科技股份有限公司,北京 100095 ；中国科学院声学研究所,北京 100190 |
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| 摘 要： | 使用结构为42°Y-X LiTaO3(600 nm)/SiO2(500 nm)/Si的SOI衬底，通过抑制横向模式等优化设计，研制了单端谐振器和声表面波滤波器。经测试，谐振器的谐振频率为1.5 GHz，品质因数(Q)值高达4 000；滤波器的中心频率为1 370 MHz，插入损耗为-1.2 dB，1 dB带宽为74 MHz，相对带宽达到5.4%，阻带抑制大于40 dB，且温度系数在-55~+85 ℃时优于-9×10-6/℃。该产品具有高频、宽带、低损耗、低温漂、高阻带抑制的特点，其性能指标优异，具有很好的实用性。
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| 关 键 词： | SOI衬底 大带宽 横向模式 谐振器 声表面波滤波器 |
Study on Wideband Low-Loss SAW Filter Based on SOI Substrate |
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| Miao Xiang,Yan Kunkun,Huang Xin,Jiang Jingwen,Huang Xiaodong,Wang Wen.Study on Wideband Low-Loss SAW Filter Based on SOI Substrate[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2022,44(5):718-721. |
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| Authors: | Miao Xiang Yan Kunkun Huang Xin Jiang Jingwen Huang Xiaodong Wang Wen |
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