| 纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构 |
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| 引用本文： | 张洪涛,徐重阳,曾祥斌,邹雪城.纳米氮化镓/碳化硅固溶晶薄膜电子微结构[J].压电与声光,2002,24(2):139-140,148. |
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| 作者姓名： | 张洪涛 徐重阳 曾祥斌 邹雪城 |
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| 作者单位： | 1. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074；湖北工学院电气工程与计算机科学系,武汉,430068
2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074 |
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| 基金项目： | 国家教委博士点基金资助项目 (97J10 3 84)，湖北省自然科学基金资助项目(99J0 11)，湖北省重大项目 (2 0 0 0 Z0 40 0 7)，武汉市重点攻关项目 |
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| 摘 要： | 采用高功率密度、高氢稀释和直流偏压PECVD技术制备纳米碳化硅/氮化镓固溶晶薄膜。经过透射电镜观察，形状为微丘陵状，晶粒径在3-16mm范围，垂直衬底生长，其宽化衍射环与单晶碳化硅吻合。拉曼光谱与4H-多型SiC范围相似。并出现晶态氮化镓的特征峰。这表明制备出纳米碳化硅/氮化镓固溶晶薄膜。
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| 关 键 词： | 纳米结构 氮化镓 碳化硅 固溶晶 薄膜 |
| 文章编号： | 1004-2474(2002)02-0139-02 |
Electron Microstructure of Nanostructured Solid-solution Films of Silicon Carbide and Gallium Nitride |
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| ZHANG Hong tao ,XU Zhong yang ,ZENG Xiang bin ,ZOU Xue cheng.Electron Microstructure of Nanostructured Solid-solution Films of Silicon Carbide and Gallium Nitride[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2002,24(2):139-140,148. |
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| Authors: | ZHANG Hong tao XU Zhong yang ZENG Xiang bin ZOU Xue cheng |
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| Affiliation: | ZHANG Hong tao 1,2,XU Zhong yang 1,ZENG Xiang bin 1,ZOU Xue cheng 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nano structure silicon carbide gallium nitride solid solution film |
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