| 退火工艺对YIG多晶薄膜铁磁共振线宽的影响 |
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| 引用本文： | 金曙晨,杨青慧,梅兵,饶毅恒,田晓洁,张怀武.退火工艺对YIG多晶薄膜铁磁共振线宽的影响[J].压电与声光,2015,37(6):1053-1056. |
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| 作者姓名： | 金曙晨 杨青慧 梅兵 饶毅恒 田晓洁 张怀武 |
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| 作者单位： | （电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 四川 成都 610054） |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61021061,5127203，51002021,61131005)；国际合作基金资助项目(2012DFR 10730,2013HH0003 and 2012CB933104, 111project No.B13042) |
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| 摘 要： | 主要研究了退火工艺对钇铁石榴石(YIG)薄膜铁磁共振线宽的影响。实验中微米级的YIG薄膜通过磁控溅射法在Gd_3Ga_5O_(12)(GGG)(111)衬底上制备,并通过750~950℃常压常规退火及750~850℃真空快速退火两种方式对薄膜进行退火晶化处理。最终系统地研究了薄膜的微观晶体结构、磁性能和铁磁共振线宽性能。研究发现,经过800℃,10 min的真空快速热处理的YIG薄膜磁性能优异,其铁磁共振线宽为2 626.1 A/m@9.3GHz,阻尼系数α=2.077×10~(-3),薄膜表面粗糙度为1.9nm。
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| 关 键 词： | 钇铁石榴石(YIG) 快速退火 射频磁控溅射 铁磁共振线宽(FMR) 阻尼系数 |
The Effect of Annealing Process on FMR Line width of YIG Films Prepared by RF Magnetron Sputtering |
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| JIN Shuchen,YANG Qinghui,MEI Bing,RAO Yiheng,TIAN Xiaojie and ZHANG Huaiwu.The Effect of Annealing Process on FMR Line width of YIG Films Prepared by RF Magnetron Sputtering[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2015,37(6):1053-1056. |
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| Authors: | JIN Shuchen YANG Qinghui MEI Bing RAO Yiheng TIAN Xiaojie and ZHANG Huaiwu |
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| Affiliation: | (University of Electronic Science and Technology of China,State Key Lab.of Electronic Thin Film and Integrated Devices,Chendu 610054,China) |
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