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PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究
引用本文:郑可炉,褚家如,鲁健,李恒.PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究[J].压电与声光,2005,27(2):209-212.
作者姓名:郑可炉  褚家如  鲁健  李恒
作者单位:中国科学技术大学,精密机械与精密仪器系,安徽,合肥,230027
基金项目:教育部博士点基金(20030358018),优秀青年教师资助计划项目
摘    要:介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。

关 键 词:锫钛酸铅PZT薄膜  湿法刻蚀  微图形化
文章编号:1004-2474(2005)02-0209-04
修稿时间:2003年6月2日

Study on Wet-etching of PZT Thin Films
ZHENG Ke-lu,CHU Jia-ru,LU Jian,LI Heng.Study on Wet-etching of PZT Thin Films[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2005,27(2):209-212.
Authors:ZHENG Ke-lu  CHU Jia-ru  LU Jian  LI Heng
Abstract:
Keywords:PZT  PZT thin film  wet-etch  pattern
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