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N2气氛烧结Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷性能研究
引用本文:庞越,钟朝位,张树人.N2气氛烧结Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷性能研究[J].压电与声光,2008,30(1):121-123.
作者姓名:庞越  钟朝位  张树人
作者单位:电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054
摘    要:采用普通固相合成法制备了Bi1-xGdxNbO4微波介质陶瓷,研究了N2烧结气氛下,Gd部分取代BiN-bO4陶瓷中的Bi对其烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明,不同Gd掺杂量的样品,相结构差别不大,均以低温斜方相为主晶相。随着Gd含量的增加,陶瓷样品的烧结温度升高,表观密度和相对介电常数均略有减小,品质因数与频率之积(Q×f)值也会发生变化。当x(Gd)=0.008时,900℃烧结的Bi0.992Gd0.008NbO4陶瓷样品具有较好的介电性能:介电常数rε=43.6(4.3 GHz),Q×f=14 288 GHz(4.3 GHz),谐振频率温度系数τf≈0。

关 键 词:Bi1-xGdxNbO4  微波介质陶瓷  气氛烧结
文章编号:1004-2474(2008)01-0121-03
收稿时间:2006-11-15
修稿时间:2006年11月15

Properties of Bi1-xGdxNbO4 Microwave Dielectric Ceramics in N2 Sintering Atmosphere
PANG Yue,ZHONG Chao-wei,ZHANG Shu-ren.Properties of Bi1-xGdxNbO4 Microwave Dielectric Ceramics in N2 Sintering Atmosphere[J].Piezoelectrics & Acoustooptics,2008,30(1):121-123.
Authors:PANG Yue  ZHONG Chao-wei  ZHANG Shu-ren
Abstract:
Keywords:Bi1-xGdxNbO4  microwave dielectric ceramics  atmosphere sintering
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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