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| G652．D光纤在长波段的传输损耗研究 | |
| 引用本文： | 秦钰,吴椿烽,陶伟,沈一春,钱宜刚.G652．D光纤在长波段的传输损耗研究[J].现代传输,2014(3):60-62. |
| 作者姓名： | 秦钰 吴椿烽 陶伟 沈一春 钱宜刚 |
| 作者单位： | 中天科技精密材料有限公司,江苏南通226009 |
| 摘 要： | 通过对光纤损耗机理进行了深入分析，并采用VAD工艺调整Ge02含量和芯层直径，分析7制备过程中GeCl4流量和芯层直径与瑞利散射的关系。实验结果表明，G652．D光纤的瑞利散射随着GeCl4流量及纤芯直径的增加而增加，且掺Ge量的影响大于芯径变化的影响。 |
| 关 键 词： | 低损耗 吸收 瑞利散射 超长距离传输 VAD |
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