硅外延中自掺杂效应

本文综述最近的一些自掺杂研究,这些研究有助於定量地了解自掺杂现象。特别强调与集成电路制造有关的埋层方面的研究。本文还介绍与自掺杂原因、流量影响、硅烷和 SiCl_4淀积间自掺杂的差别和 HCl 汽相腐蚀对自掺杂影响有关的新资料。目的在于提出一个能解释各种自掺杂效应的理论体制。